圖6和圖7中分別記錄在不同溫度下正負(fù)電暈充電的可溶性聚四氟乙烯電流譜。重復(fù)實驗結(jié)果表明，在高溫下的正負(fù)恒壓電暈注極，如果合理地控制注極溫度，可使負(fù)電的146℃低溫峰和正電暈的86℃低溫峰消失。與此同時，負(fù)電暈的2U5℃和正電暈的1.10 ℃高溫峰分別向高溫區(qū)漂移80"C和60℃,這是因為在高溫充電期間，捕獲在淺阱的載流子被熱活化，它們中的一部分相繼再次被捕獲在較深的能阱內(nèi)，實驗指出最佳注極溫度都在200℃左右(正負(fù)電暈)，在這個溫度或該溫度附近充電，在該材料的深阱內(nèi)可能捕獲到較大的電荷量。對Teflon 可溶性聚四氟乙烯,若注極溫度低于200℃,淺阱載流子不能充分被活化，影響駐極體的電荷存貯壽命，若在高于2UU0J注極，較多深阱載流子由于熱激發(fā)而脫阱，導(dǎo)致深阱內(nèi)存貯的電荷量下降，影響注極效率。利用初始_L升法，和峰值清洗術(shù)，我們試圖估算出Teflon 可溶性聚四氟乙烯 LP型膜的活化能，根據(jù)一次動態(tài)特性，在熱釋電初期，可溶性聚四氟乙烯電流和活化能之間的關(guān)系可用下式描述:f=I0eap(E,/KT)=na,eap(一E,/KT)式中，E.是第i個能阱活化能，n是熱釋電表2電暈充電的Teflon 可溶性聚四氟乙烯的活化能和試圖逃逸頻率在常溫充電在2pD℃充電。

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│峰溫  │活化能  │試圖逃逸      │峰溫 │活化能 │試日逃逸  │

│  (`C)│  (eV)  │頻率          │(℃〕│(e V)  │  頻率    │

│      │        │  Ga 1)       │      │        │  (昌一01 │

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│  5卜 │    0.7 │  2:2 x i0B   │221   │Iwww.jieyuechem.cnc │                

│26   │    1:D │  3.$x24'0    │      │    │                

│20a  j│!i.3   │  1 .8 x 101 `│      │    │                

│235】 │!1.!    │11.7、i。V    │      │    │                

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    前在可溶性聚四氟乙烯內(nèi)捕獲的初始電子數(shù)是試圖逃逸頻率，x是波爾茲曼常數(shù)，T是絕對溫度，開路可溶性聚四氟乙烯電梳譜各峰溫對應(yīng)的活化能的關(guān)系見表2。